许振峰的话音刚落，会议室里便陷入了短暂的沉默。许振峰面前那七位都低头看着手中的笔记本，不时用笔在上面记录着什么，脸上的表情愈发凝重。
过了一会儿，庭排名第四的那位抬起头，语气沉重地：“许总，你的这些情况，我们其实已经有所察觉。最近这几年，美国对我国科技企业的打压越来越频繁，从制裁中兴、华为，到限制向我国出口高端芯片和制造设备，他们的意图很明显，就是想通过芯片‘卡脖子’，遏制我国高科技产业的发展。但我们一直想知道，从技术层面来看，美国到底能从哪些环节对我们‘卡脖子’？这些‘卡脖子’的环节，我们目前的短板到底有多长？”
这个问题，正是许振峰多年来让振峰科创公司攻磕重点。他放下笔记本，条理清晰地解释道：“各位大佬，从产业逻辑来看，芯片产业的‘卡脖子’问题主要集中在三个核心环节：技术、设备和材料。这三个环节环环相扣，任何一个环节出现短板，都会影响整个芯片产业的发展。”
“首先是技术层面，”许振峰伸出一根手指，缓缓道，“芯片产业的技术‘卡脖子’，主要体现在芯片设计和芯片制造两个环节。在芯片设计环节，我们严重依赖进口的EdA软件——EdA软件又称‘电子设计自动化软件’，是芯片设计的‘灵魂工具’，没有它，设计师根本无法完成芯片的电路设计、性能仿真和版图绘制。目前全球EdA软件市场几乎完全被三家国外的科技公司垄断，分别是美国的Synopsys、cadence和德国的mentor Graphics，这三家公司占据了全球EdA市场95%以上的份额，我国EdA软件的国产化率不足5%。更关键的是，高端EdA软件几乎被这三家公司完全垄断，比如用于7纳米及以下先进制程芯片设计的EdA软件，国内目前还没有任何一家企业能够研发出来。”
许振峰到这里，有些心虚地看着眼前的七个老者。实际上，早在今年年初的时候，振峰科创公司就已经实现突破，如今已经通过实验检验，效果那是相当“奈斯”。
他顿了顿，继续道：“虽然这些年我国在芯片设计领域有了一定的进展，比如华为海思设计出了麒麟系列高端芯片，中芯国际能够设计出中低端芯片，但在复杂算法和架构设计上，我们与国际先进水平仍有很大差距。举个例子，芯片的架构就像房子的‘骨架’，目前全球主流的芯片架构主要有ARm架构和x86架构，ARm架构被英国的ARm公司垄断，x86架构被美国的英特尔公司垄断，我国自主研发的芯片架构，比如龙芯的LoongArch架构，虽然已经实现了部分突破，但在生态建设和兼容性上，还无法与ARm、x86架构相比。而芯片的算法，就像房子的‘装修’，直接影响芯片的性能和功耗，目前我国在人工智能芯片、高端服务器芯片的算法设计上，还需要依赖国外的技术专利。”
而这样的问题，振峰科创公司也已经突破，只不过时机还没成熟，许振峰没有对外公布而已。
“在芯片制造环节，技术‘卡脖子’的问题更为突出，”许振峰的语气变得更加沉重，“芯片制造是一个技术密集型的过程，需要经过数百道工序，其中最关键的技术包括薄膜沉积、光刻、刻蚀等。薄膜沉积技术是在硅片上形成超薄的薄膜，这些薄膜的厚度通常只有几纳米，相当于头发丝直径的万分之一，目前国际先进水平已经能够实现原子级别的薄膜沉积，而我国的薄膜沉积技术还停留在纳米级，在薄膜的均匀性和稳定性上，与国外存在明显差距。”
“光刻技术更是芯片制造的‘核心中的核心’，”许振峰加重了语气，“光刻技术就像‘雕刻刀’，通过紫外线将芯片设计图刻在硅片上，光刻技术的精度直接决定了芯片的制程水平。目前国际先进的光刻技术已经达到3纳米，甚至2纳米，而我国最先进的光刻技术还停留在14纳米，与国际先进水平相差至少两代。更关键的是，光刻技术的专利大多被国外公司掌握，我国在光刻技术的研发上，还面临着大量的专利壁垒。”
“刻蚀技术同样不容忽视，”许振峰补充道，“刻蚀技术是将光刻后的硅片进行精细加工，去除多余的部分，形成芯片的电路结构。国际先进的刻蚀技术已经能够实现原子级别的精度，而我国的刻蚀技术在精度和效率上，还无法满足高端芯片的制造需求。这些技术上的短板，导致我国在芯片制造环节，只能生产中低端芯片，无法生产7纳米及以下的高端芯片，而高端芯片恰恰是智能手机、人工智能、高端服务器等领域的核心部件。”
听完许振峰的讲解，庭排名第五那位眉头紧锁，问道：“许总，技术上的短板我们已经清楚了，那在设备层面，我们的情况又如何呢？毕竟技术的实现，离不开先进的设备支撑。”
“您得很对，设备是芯片产业的‘基石’，没有先进的设备，再好的技术也无法落地，”许振峰点头回应，“在设备层面，我国芯片产业的‘卡脖子’问题主要集中在光刻机、薄膜沉积设备和刻蚀设备上。其中，光刻机是芯片制造最关键的设备，被称为‘芯片产业的皇冠明珠’，目前全球只有荷兰的ASmL公司能够生产7纳米及以下先进制程的EUV光刻机，而ASmL公司的EUV光刻机，不仅价格高达1.5亿美元一台，而且还受到美国的技术限制，无法向我国出口。我国虽然已经能够生产用于28纳米及以上制程的dUV光刻机，但在技术性能上，与ASmL的dUV光刻机还有很大差距，更不用EUV光刻机了。”
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